Wafer in carburo di silicio (SiC). di solito sono cristalli singoli, ma questi wafer SiC monocristallino può essere composto da diverse forme policristalline, tra cui 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, ecc. Ciascuna forma policristallina ha le sue proprietà uniche.

3C-SiC ha una struttura cubica

4H-SiC ha una struttura tetragonale

6H-SiC ha una struttura a doppio esagono

 

Le loro differenze nel modello di disposizione atomica e nel numero di coordinazione. Il 3C-SiC ha la più alta velocità teorica degli elettroni, ma ha anche le più grandi tracce di corrosione da impurità.

4H-SiC e 6H-SiC hanno un costo migliore-efficacia e affidabilità delle apparecchiature.

 

3C-SiC ha una struttura cristallina cubica, con ciascun atomo di silicio circondato da quattro atomi di carbonio e quattro atomi di silicio adiacenti. Questa struttura ha la più alta velocità teorica degli elettroni, ma è anche suscettibile a impurità, che portano a segni di corrosione da impurità.

 

4H-SiC e 6H-SiC appartengono entrambi al sistema cristallino esagonale. La loro disposizione atomica è diversa, ma entrambi hanno un migliore rapporto costo-efficacia e affidabilità delle apparecchiature grazie alla loro struttura cristallina migliore stabilità e minori concentrazioni di impurità, consentendo loro di funzionare a temperature elevate, condizioni di alta potenza e alta tensione.