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I materiali semiconduttori sono suddivisi in base ai collegamenti applicativi e possono essere suddivisi in due categorie: materiali per la produzione di wafer front-end e materiali per l'imballaggio back-end. I principali materiali per la produzione di wafer includono: wafer di silicio, gas speciali per l'elettronica, fotoresist e reagenti di supporto, prodotti chimici elettronici umidi, materiali per lucidatura, target, fotomaschere, ecc.; i principali materiali di imballaggio includono: telai di piombo, substrati di imballaggio, materiali di tenuta in plastica, materiali ceramici, fili di collegamento, materiali da taglio, ecc.   Proporzione di vari materiali:   Tra i materiali semiconduttori, i materiali di produzione rappresentano circa il 63,1% e i materiali di imballaggio il 36,9%;   Tra i materiali per la produzione di wafer, i wafer di silicio rappresentano la percentuale più elevata, pari al 35%; il gas elettronico è al secondo posto, con una quota del 13%; le maschere sono al terzo posto, con il 12%, mentre il fotoresist rappresenta il 6%; il fotoresist è al terzo posto I materiali di supporto rappresentano l'8%; i prodotti chimici elettronici umidi rappresentano il 7%; I materiali lucidanti CMP rappresentano il 6%; i materiali target rappresentano il 2%.   Tra i materiali da imballaggio, i substrati da imballaggio rappresentano la percentuale più alta con il 48%; lead frame, fili di collegamento, materiali di imballaggio, substrati ceramici e materiali di collegamento dei chip rappresentano il 15%, 15%, 10%, 6% e 3%.

I wafer di silicio sono onnipresenti nelle nostre vite. Chip di silicio sono ampiamente utilizzati nei dispositivi informatici come personal computer, server e supercomputer. Fungono da nucleo dell'unità di elaborazione centrale (CPU) e controllano il funzionamento dell'intero sistema informatico. L'elevata integrazione e le prestazioni dei chip di silicio rendono i sistemi informatici più efficienti, stabili e veloci. Inoltre, i chip di silicio vengono utilizzati anche per l'archiviazione, l'elaborazione grafica e il controllo di vari dispositivi di input e output. Anche il campo delle comunicazioni è uno dei settori in cui i chip di silicio trovano largo impiego. I moderni dispositivi di comunicazione come telefoni cellulari, smartphone, router wireless e stazioni base di comunicazione non possono fare a meno dei chip di silicio. I chip di silicio controllano funzioni chiave come la comunicazione wireless, l'elaborazione del segnale e la trasmissione dei dati in questi dispositivi. Con l’avvento dell’era 5G, le prospettive applicative dei chip di silicio diventano sempre più ampie. Intraprenderanno più compiti di calcolo ed elaborazione, fornendo garanzie per sistemi di comunicazione più veloci e più stabili. Anche il campo dell'elettronica di consumo è un importante campo di applicazione per i chip di silicio. Diversi prodotti elettronici della vita moderna, come televisori intelligenti, console di gioco, fotocamere, dispositivi di riproduzione audio, ecc., richiedono chip di silicio per svolgere varie funzioni. Le prestazioni elevate e il basso consumo energetico dei chip di silicio rendono questi dispositivi più intelligenti, portatili e a risparmio energetico. Inoltre, con l’avvento dell’intelligenza artificiale e dell’Internet delle cose, l’applicazione dei chip di silicio nel campo dell’elettronica di consumo si espanderà ulteriormente. L'applicazione diffusa di wafer di silicio ha portato enormi cambiamenti nella nostra vita.

Secondo la classificazione dei processi produttivi, wafer di silicio semiconduttore possono essere principalmente suddivisi in wafer lucidati, wafer epitassiali e materiali a base di silicio di fascia alta rappresentati da wafer di silicio SOI. I lingotti di silicio monocristallino vengono lavorati mediante taglio, molatura e lucidatura per ottenere wafer lucidi. Il wafer lucidato subisce una crescita epitassiale per formare un wafer epitassiale, che viene poi lavorato mediante processi quali ossidazione, legame o impianto ionico per formare un wafer di silicio SOI.Secondo la classificazione delle dimensioni, le dimensioni dei wafer di silicio semiconduttore (calcolate in diametro) includono principalmente specifiche come 125 mm (5 pollici), 150 mm (6 pollici), 200 mm (8 pollici) e 300 mm (12 pollici).Maggiore è la dimensione del wafer di silicio, maggiore è il numero di chip presenti su un wafer singolo wafer di silicio, che può migliorare l'efficienza produttiva e ridurre i costi di produzione. Il wafer di silicio da 300 mm è 2,25 volte l'area del wafer di silicio da 200 mm e, in termini di numero di chip prodotti, 1,5 cm × Prendendo come esempio un chip da 1,5 cm, ci sono 232 chip di silicio da 300 mm e 88 chip di silicio da 200 mm. Il numero di chip di silicio da 300 mm è 2,64 volte quello dei chip di silicio da 200 mm.

Presentazione del silicio a diffrazione zero: ridefinizione della precisione nella tecnologia XRDEntra nel mondo della diffrazione dei raggi X all'avanguardia con Zero Diffraction Silicon. Realizzato con meticolosa attenzione ai dettagli, questo rivoluzionario wafer di silicio è progettato per eliminare anche il minimo accenno di diffrazione, garantendo risultati accurati e precisi negli esperimenti di diffrazione dei raggi X.Scatena tutto il potenziale del tuo sistema XRD con Zero Diffraction Silicon. Quando la luce attraversa questo straordinario wafer, non incontra ostacoli, distorsioni e interferenze. Assisti a modelli di diffrazione cristallini che non vengono toccati dalle limitazioni dei materiali convenzionali.Progettato per la perfezione, Zero Diffraction Silicon vanta un livello ineguagliabile di purezza e uniformità. Ogni wafer è fabbricato in modo impeccabile secondo i più alti standard del settore, garantendo coerenza nelle prestazioni e precisione di misurazione. Di' addio alla variazione e all'incertezza e abbraccia la certezza di risultati affidabili.Ma Zero Diffraction Silicon non è solo una questione di precisione senza eguali; offre anche una durata eccezionale. Resistente alle fluttuazioni di temperatura, alle reazioni chimiche e all'usura fisica, questo wafer resiste alle condizioni sperimentali più impegnative senza compromettere le sue prestazioni fenomenali. Assicurati una qualità duratura che ti accompagna attraverso innumerevoli esperimenti.La facile integrazione è un segno distintivo di Silicio a diffrazione zero. Per una configurazione e un funzionamento senza soluzione di continuità, il wafer è progettato per adattarsi facilmente ai sistemi XRD standard, eliminando la necessità di modifiche o adattamenti complessi. Ciò significa tempi di inattività minimi e massima produttività, consentendo a ricercatori e scienziati di concentrarsi su ciò che conta veramente: ampliare i confini della scoperta scientifica.Con Zero Diffraction Silicon, un mondo di possibilità attende. Sfrutta il potenziale della diffrazione dei raggi X con precisione e affidabilità senza precedenti. Che si tratti di esplorare nuovi materiali, analizzare strutture cristalline o studiare trasformazioni di fase, affidati a Zero Diffraction Silicon per rivoluzionare i tuoi esperimenti XRD.Scopri il futuro della tecnologia XRD. Scopri oggi Zero Diffraction Silicon e abbraccia una nuova era di precisione nella ricerca scientifica.

Wafer in carburo di silicio (SiC). di solito sono cristalli singoli, ma questi wafer SiC monocristallino può essere composto da diverse forme policristalline, tra cui 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, ecc. Ciascuna forma policristallina ha le sue proprietà uniche.3C-SiC ha una struttura cubica4H-SiC ha una struttura tetragonale6H-SiC ha una struttura a doppio esagono Le loro differenze nel modello di disposizione atomica e nel numero di coordinazione. Il 3C-SiC ha la più alta velocità teorica degli elettroni, ma ha anche le più grandi tracce di corrosione da impurità. 4H-SiC e 6H-SiC hanno un costo migliore-efficacia e affidabilità delle apparecchiature. 3C-SiC ha una struttura cristallina cubica, con ciascun atomo di silicio circondato da quattro atomi di carbonio e quattro atomi di silicio adiacenti. Questa struttura ha la più alta velocità teorica degli elettroni, ma è anche suscettibile a impurità, che portano a segni di corrosione da impurità. 4H-SiC e 6H-SiC appartengono entrambi al sistema cristallino esagonale. La loro disposizione atomica è diversa, ma entrambi hanno un migliore rapporto costo-efficacia e affidabilità delle apparecchiature grazie alla loro struttura cristallina migliore stabilità e minori concentrazioni di impurità, consentendo loro di funzionare a temperature elevate, condizioni di alta potenza e alta tensione.