Wafer epitassiali

Secondo la classificazione dei processi produttivi, wafer di silicio semiconduttore possono essere principalmente suddivisi in wafer lucidati, wafer epitassiali e materiali a base di silicio di fascia alta rappresentati da wafer di silicio SOI. I lingotti di silicio monocristallino vengono lavorati mediante taglio, molatura e lucidatura per ottenere wafer lucidi. Il wafer lucidato subisce una crescita epitassiale per formare un wafer epitassiale, che viene poi lavorato mediante processi quali ossidazione, legame o impianto ionico per formare un wafer di silicio SOI.Secondo la classificazione delle dimensioni, le dimensioni dei wafer di silicio semiconduttore (calcolate in diametro) includono principalmente specifiche come 125 mm (5 pollici), 150 mm (6 pollici), 200 mm (8 pollici) e 300 mm (12 pollici).Maggiore è la dimensione del wafer di silicio, maggiore è il numero di chip presenti su un wafer singolo wafer di silicio, che può migliorare l'efficienza produttiva e ridurre i costi di produzione. Il wafer di silicio da 300 mm è 2,25 volte l'area del wafer di silicio da 200 mm e, in termini di numero di chip prodotti, 1,5 cm × Prendendo come esempio un chip da 1,5 cm, ci sono 232 chip di silicio da 300 mm e 88 chip di silicio da 200 mm. Il numero di chip di silicio da 300 mm è 2,64 volte quello dei chip di silicio da 200 mm.