Wafer di silicio monocristallino

FZ Wafer di silicio Metodo di crescita Float Zone, per lo più è leggermente drogante o non drogante con elevata resistività. La resistività è per lo più >1000 Ohm.cm.Tuttavia, in alcuni casi, il drogaggio delle barre di silicio a fusione zonale può essere ottenuto anche tramite illuminazione NTD e drogaggio con gas GD per ottenere una migliore uniformità e una minore resistività.Se hai bisogno di specifiche sul substrato in silicio puoi contattarci.

Wafer di silicio monocristallino CzochralskiMetodo di crescita:CZ Il processo principale consiste nell'inserire il silicio policristallino nel crogiolo, riscaldarlo per scioglierlo, quindi fissare un cristallo seme di silicio monocristallino e sospenderlo sopra il crogiolo. Quando si tira dritto, inserire un'estremità nella massa fusa finché non si scioglie, quindi ruotare lentamente e tirare verso l'alto. In questo modo si formerà un singolo cristallo per condensazione graduale all'interfaccia tra liquido e solido. Poiché l'intero processo può essere considerato come un processo di replicazione del cristallo seme, il cristallo di silicio generato è silicio monocristallino.Il metodo Czochralski ha un contenuto di carbonio e ossigeno relativamente elevato e molte impurità e difetti, ma il costo è basso. Solitamente fosforo drogante, boro, Sb, As di wafer di silicio Cz.

In base ai metodi di processo, può essere suddiviso in monocristallo CZ Si, monocristallo FZ Si e monocristallo MCZ Si. Il cristallo singolo di silicio con fusione a zona viene utilizzato principalmente per realizzare dispositivi elettronici di potenza e transistor ad alta potenza. Il monocristallo di silicio magnetico viene utilizzato principalmente per realizzare dispositivi CCI. Il 90% della produzione è costituito da monocristalli di silicio Czochralski, utilizzati per realizzare circuiti integrati e altri componenti discreti.Può essere suddiviso in monocristallo di silicio a livello di circuito, monocristallo di silicio a livello di rilevatore, ecc. in base al suo scopoPossiamo fornire CZ, MCZ, FZ mlingotto di silicio oncristallino.

Il wafer di ossido di silicio è una crescita termica di uno strato di ossido uniforme sulla superficie nuda del wafer di silicio. Il processo di ossidazione comprende l'ossidazione secca ad alta temperatura e l'ossidazione umida ad alta temperatura.

Depositando pellicole metalliche sulla superficie dei wafer di silicio, è possibile preparare componenti come fili di elettrodi e transistor. Queste pellicole metalliche hanno una buona conduttività e stabilità, che possono garantire il normale funzionamento del circuito. Comunemente le pellicole metalliche sono oro, platino, alluminio, rame, argento e così via.

Film Si3N4 su wafer di silicio di LPCVD.

Il taglio dei wafer di silicio viene utilizzato principalmente nei settori dei semiconduttori, dell'optoelettronica e dell'energia solare ed è uno dei processi importanti per la produzione di chip e componenti optoelettronici. 

Manichino da 12 pollici richiesto per i test prima della produzione effettiva.Applicato anche per apparecchiature di prova.Disponiamo di un ampio stock di wafer di silicio da 12 pollici con un prezzo molto conveniente.Weclome inviaci la tua richiesta.

È adatto per testare campioni con forti picchi di assorbimento in molti intervalli e può dedurre l'influenza del rumore di fondo.Disponiamo di alcune scorte di wafer di silicio a diffrazione zero. Non esitare a contattarci.

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Il processo di epitassia è in realtà una tecnica di crescita di cristallo singolo a strato sottile, che prevede la crescita di un nuovo strato di cristallo singolo con un certo tipo di conduttività, resistività, spessore e struttura reticolare coerenti con i singoli cristalli sfusi lungo la direzione del cristallo sul substrato di cristalli singoli di silicio sotto certe condizioni.