Substrato di silicio con pellicola metallica

FZ Wafer di silicio Metodo di crescita Float Zone, per lo più è leggermente drogante o non drogante con elevata resistività. La resistività è per lo più >1000 Ohm.cm.Tuttavia, in alcuni casi, il drogaggio delle barre di silicio a fusione zonale può essere ottenuto anche tramite illuminazione NTD e drogaggio con gas GD per ottenere una migliore uniformità e una minore resistività.Se hai bisogno di specifiche sul substrato in silicio puoi contattarci.

Wafer di silicio monocristallino CzochralskiMetodo di crescita:CZ Il processo principale consiste nell'inserire il silicio policristallino nel crogiolo, riscaldarlo per scioglierlo, quindi fissare un cristallo seme di silicio monocristallino e sospenderlo sopra il crogiolo. Quando si tira dritto, inserire un'estremità nella massa fusa finché non si scioglie, quindi ruotare lentamente e tirare verso l'alto. In questo modo si formerà un singolo cristallo per condensazione graduale all'interfaccia tra liquido e solido. Poiché l'intero processo può essere considerato come un processo di replicazione del cristallo seme, il cristallo di silicio generato è silicio monocristallino.Il metodo Czochralski ha un contenuto di carbonio e ossigeno relativamente elevato e molte impurità e difetti, ma il costo è basso. Solitamente fosforo drogante, boro, Sb, As di wafer di silicio Cz.

In base ai metodi di processo, può essere suddiviso in monocristallo CZ Si, monocristallo FZ Si e monocristallo MCZ Si. Il cristallo singolo di silicio con fusione a zona viene utilizzato principalmente per realizzare dispositivi elettronici di potenza e transistor ad alta potenza. Il monocristallo di silicio magnetico viene utilizzato principalmente per realizzare dispositivi CCI. Il 90% della produzione è costituito da monocristalli di silicio Czochralski, utilizzati per realizzare circuiti integrati e altri componenti discreti.Può essere suddiviso in monocristallo di silicio a livello di circuito, monocristallo di silicio a livello di rilevatore, ecc. in base al suo scopoPossiamo fornire CZ, MCZ, FZ mlingotto di silicio oncristallino.

Il wafer di ossido di silicio è una crescita termica di uno strato di ossido uniforme sulla superficie nuda del wafer di silicio. Il processo di ossidazione comprende l'ossidazione secca ad alta temperatura e l'ossidazione umida ad alta temperatura.

Depositando pellicole metalliche sulla superficie dei wafer di silicio, è possibile preparare componenti come fili di elettrodi e transistor. Queste pellicole metalliche hanno una buona conduttività e stabilità, che possono garantire il normale funzionamento del circuito. Comunemente le pellicole metalliche sono oro, platino, alluminio, rame, argento e così via.

Film Si3N4 su wafer di silicio di LPCVD.

Il processo di epitassia è in realtà una tecnica di crescita di cristallo singolo a strato sottile, che prevede la crescita di un nuovo strato di cristallo singolo con un certo tipo di conduttività, resistività, spessore e struttura reticolare coerenti con i singoli cristalli sfusi lungo la direzione del cristallo sul substrato di cristalli singoli di silicio sotto certe condizioni.

È adatto per testare campioni con forti picchi di assorbimento in molti intervalli e può dedurre l'influenza del rumore di fondo.Disponiamo di alcune scorte di wafer di silicio a diffrazione zero. Non esitare a contattarci.

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Manichino da 12 pollici richiesto per i test prima della produzione effettiva.Applicato anche per apparecchiature di prova.Disponiamo di un ampio stock di wafer di silicio da 12 pollici con un prezzo molto conveniente.Weclome inviaci la tua richiesta.

Il taglio dei wafer di silicio viene utilizzato principalmente nei settori dei semiconduttori, dell'optoelettronica e dell'energia solare ed è uno dei processi importanti per la produzione di chip e componenti optoelettronici.